| 发明名称 | 雪崩光电二极管 | ||
| 摘要 | 一种雪崩光电二极管，包括：P型接触层(11)、光吸收层(12)、组分渐变对称倍增层(13)和N型接触层(14)，其中，所述P型接触层(11)与所述光吸收层(12)相连，所述光吸收层(12)与所述组分渐变对称倍增层(13)相连，所述组分渐变对称倍增层(13)与所述N型接触层(14)相连；所述组分渐变对称倍增层(13)，用于放大所述电信号，所述组分渐变对称倍增层(13)呈中心对称结构，由多个渐变层组成。该技术方案通过多层渐变层抑制载流子的离化，降低过剩噪声因子的同时，组分渐变对称倍增层(13)的对称结构有效地缓解了大晶格失配体系应力，获得高质量外延薄膜，降低噪声性。 | ||
| 申请公布号 | CN105637657A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201380077525.9 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 潘旭 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | PCT国内申请，权利要求书已公开。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||