| 发明名称 | 一种化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法及系统，属于集成电路制造技术领域。该化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法，包括：获取芯片在上一工艺阶段的表面形貌参数和研磨液的选择比；获取当前工艺阶段的工艺参数和研磨液的选择比；将芯片的当前表面版图划分为多个连续窗格，分别提取每个窗格的版图特征参数；判断研磨液的选择比是否发生变化，如果是，则根据上一工艺阶段的表面形貌参数、工艺参数、版图特征参数和当前工艺阶段研磨液的选择比，计算芯片在当前工艺阶段的表面形貌参数；根据当前工艺阶段的表面形貌参数对芯片的表面形貌进行评测。该化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法，能够精确地对芯片表面形貌进行评测。 | ||
| 申请公布号 | CN105632956A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410643976.0 | 申请日期 | 2014.11.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 陈岚;马天宇;曹鹤 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法，其特征在于，包括：获取芯片在上一工艺阶段的表面形貌参数和研磨液的选择比；获取当前工艺阶段的工艺参数和研磨液的选择比；将芯片的当前表面版图划分为多个连续窗格，分别提取每个所述窗格的版图特征参数；判断研磨液的选择比是否发生变化，如果是，则根据所述上一工艺阶段的表面形貌参数、所述工艺参数、所述版图特征参数和所述当前工艺阶段研磨液的选择比，计算所述芯片在当前工艺阶段的表面形貌参数；根据所述当前工艺阶段的表面形貌参数对所述芯片的表面形貌进行评测。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||