小功率超低光衰半导体光源

摘要

本实用新型提出一种小功率超低光衰半导体光源，适用于较高温度环境下的具有小功率超低光衰特点，输入电压为6V，它包括支架和矩形的3V芯片，支架为以日字形金属框(2)为骨架并在骨架表面包覆有PPA塑料(3)的框架，金属框(2)包括第一日字部分(2.1)和第二日字部分(2.2)，第一日字部分(2.1)的下端面和第二日字部分(2.2)的上端面连接，金属框(2)横截面为倒T形，该倒T形的竖直部分为第一日字部分(2.1)，该倒T形的横向部分为第二日字部分(2.2)，框架的第一口部设有第一铜片(4)，框架的第二口部设有第二铜片(5)，第一铜片(4)表面粘接有两个3V芯片。

主权项

一种小功率超低光衰半导体光源，它包括支架和矩形的3V芯片，其特征在于，支架为以日字形金属框(2)为骨架并在骨架表面包覆有PPA塑料(3)的框架，金属框(2)包括第一日字部分(2.1)和第二日字部分(2.2)，第一日字部分(2.1)的下端面和第二日字部分(2.2)的上端面连接，金属框(2)横截面为倒T形，该倒T形的竖直部分为第一日字部分(2.1)，该倒T形的横向部分为第二日字部分(2.2)，框架的第一口部设有第一铜片(4)，框架的第二口部设有第二铜片(5)，第一铜片(4)插入PPA塑料中的周边部分、第二铜片(5)插入PPA塑料中的周边部分均位于金属框(2)上方，第一铜片(4)表面经导热胶粘接有两个3V芯片，两个3V芯片与第一铜片(4)表面粘接的背面均镀有铝层，两个3V芯片分别为第一3V芯片(1.1)、第二3V芯片(1.2)，两个3V芯片沿框架的宽度方向依序分布，两个3V芯片的长度方向均与框架的长度方向一致，第一3V芯片(1.1)、第二3V芯片(1.2)上下对称分布，第一口部内上边缘与第一3V芯片(1.1)上边缘之间的间距、第二3V芯片(1.2)下边缘与第一口部内下边缘之间的间距相等，第一3V芯片(1.1)下边缘与第二3V芯片(1.2)上边缘之间的间距大于第一口部内上边缘与第一3V芯片(1.1)上边缘之间的间距，第一口部内左边缘与第一3V芯片(1.1)左边缘之间的间距、第一3V芯片(1.1)右边缘与第一口部内右边缘之间的间距相等；第一铜片(4)、第一3V芯片(1.1)、第二3V芯片(1.2)、第二铜片(5)通过焊线(6)依序电连接。