发明名称 半导体晶圆凸点结构
摘要 本发明提供了一种半导体晶圆凸点结构,其包括:晶圆;形成于晶圆上表面的再造钝化层;形成于晶圆下表面的聚合物材料层;形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。与现有技术相比,本发明提供的半导体晶圆凸点结构的形成方法,能够削弱晶圆翘曲,从而有利于切割前的测试、打印、植球等工序的制造。
申请公布号 CN105633034A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201511000180.4 申请日期 2015.12.25
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 施建根
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人 孟阿妮;郭栋梁
主权项 一种半导体晶圆凸点结构,其特征在于,包括:晶圆;形成于晶圆上表面的再造钝化层;形成于晶圆下表面的聚合物材料层;形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号