发明名称 |
半导体晶圆凸点结构 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体晶圆凸点结构,其包括:晶圆;形成于晶圆上表面的再造钝化层;形成于晶圆下表面的聚合物材料层;形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。与现有技术相比,本发明提供的半导体晶圆凸点结构的形成方法,能够削弱晶圆翘曲,从而有利于切割前的测试、打印、植球等工序的制造。 |
申请公布号 |
CN105633034A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201511000180.4 |
申请日期 |
2015.12.25 |
申请人 |
南通富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
施建根 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 |
代理人 |
孟阿妮;郭栋梁 |
主权项 |
一种半导体晶圆凸点结构,其特征在于,包括:晶圆;形成于晶圆上表面的再造钝化层;形成于晶圆下表面的聚合物材料层;形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。 |
地址 |
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |