化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统及其方法

摘要

本发明是关于一种化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统及其方法。该系统包括：承载盘绕着中心轴旋转，该承载盘包含多个晶片承载器分别承载晶片并进行自转。工艺气体靠近该晶片的第一表面经加热反应形成薄膜沉积在该第一表面上。均热板设置于相对该晶片第一表面的第二表面。一个或多个温度测量器用于获得该均热板相对于该晶片的反面温度。以该反面温度推测该晶片的晶片端温度。本发明可避免晶片端温度的测量受到工艺的干扰。

主权项

一种化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统，其特征在于包含：承载盘，绕着中心轴旋转；多个晶片承载器，位于该承载盘，每个该晶片承载器承载一个晶片，并进行自转；工艺气体，靠近该晶片的第一表面，经加热反应形成薄膜沉积在该第一表面上；均热板，设置于该晶片第二表面，用于加热该晶片，该第二表面相对于该第一表面；一个或多个温度测量器，设置于接近该第二表面的一侧，用于获得该均热板相对于该晶片的反面温度，并以该反面温度推测该晶片的晶片端温度。