| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括：提供具有一金属垫区的一半导体基底；在该半导体基底上形成一封盖(encapsulating)层，其中该封盖层具有一开口露出该金属垫区的一部分；在该封盖层的该开口内露出的该金属垫区的该部分上形成一凸块下金属层(under-bump metallurgy,UBM)；在该凸块下金属层上形成一凸块(bump)层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的一上表面；自该封盖层的该上表面去除该凸块层；去除该封盖层的该上表面，直至该凸块层的一顶部突出于该封盖层；以及进行一缓冲工艺，以轻微研磨该半导体基底，使该封盖层的厚度达到最终目标厚度。本发明可避免UBM底切问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105632953A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201610083738.8 | 申请日期 | 2010.08.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 徐君蕾;何明哲;郑明达;刘重希 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 金鹏;张浴月 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：提供具有一金属垫区的一半导体基底；在该半导体基底上形成一封盖层，其中该封盖层具有一开口露出该金属垫区的一部分；在该封盖层的该开口内露出的该金属垫区的该部分上形成一凸块下金属层；在该凸块下金属层上形成一凸块层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的一上表面；自该封盖层的该上表面去除该凸块层；去除该封盖层的该上表面，直至该凸块层的一顶部突出于该封盖层；以及进行一缓冲工艺，以轻微研磨该半导体基底，使该封盖层的厚度达到最终目标厚度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||