- - SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL CHARGE-COMPENSATED STRUCTURE AND SUB-SURFACE CONNECTING LAYER AND METHOD

摘要

일 실시예에서, 수직 국부적 전하-보상 트렌치들, 트렌치 제어 영역들, 및 표면-아래 도핑 층들을 구비한 반도체 소자가 형성된다. 수직 국부적 전하-보상 트렌치들은 적어도 한 쌍의 반대 전도성 타입 반도체층들을 포함한다. 트렌치 제어 영역들은 소스 영역들을 표면-아래 도핑 층들에 전기적으로 결합시키는 대략적으로 수직 채널 영역을 제공하도록 구성된다. 표면-아래 도핑 층들은 채널의 드레인 단부를 수직 국부적 전하 보상 트렌치들에 전기적으로 접속시키도록 추가로 구성된다. 몸체 영역들은 소자의 표면으로부터 표면-아래 도핑 층들을 분리시키도록 구성된다.