具有栅沟槽下方的电荷补偿区的半导体器件

摘要

本发明涉及具有栅沟槽下方的电荷补偿区的半导体器件。半导体衬底具有主表面和与主表面垂直间隔开的后表面、第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区。第三掺杂区置于第一和第二掺杂区之间在主表面下方。具有场板的场板沟槽从主表面垂直延伸到布置在第一掺杂区中的底部。具有栅电极的栅沟槽从主表面垂直延伸到第一掺杂区。补偿区带从栅沟槽底部垂直延伸更深入第一掺杂区中。补偿区带与栅沟槽侧向对齐并且沿着平行于主表面的器件的横截面平面邻近场板。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括主表面和与主表面垂直间隔开的后表面、第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二和第三掺杂区形成于第一掺杂区中，第二掺杂区从主表面延伸到衬底中，第三掺杂区置于第一和第二掺杂区之间在主表面下方；第一和第二场板沟槽，从主表面垂直延伸到布置在第一掺杂区中的底部；第一和第二场板，分别布置在第一和第二场板沟槽中，并且与衬底介电绝缘；栅沟槽，侧向布置在第一和第二场板沟槽之间并且从主表面垂直延伸通过第二和第三掺杂区以使得沟槽底部布置在第一掺杂区中；栅电极，布置在栅沟槽中并且与衬底介电绝缘，栅电极被配置成控制第三掺杂区中的导电沟道；以及补偿区带，从栅沟槽底部垂直延伸更深入第一掺杂区中，其中，补偿区带与栅沟槽侧向对齐，其中，补偿区带沿着平行于主表面的器件的横截面平面邻近场板，其中，第一和第二掺杂区具有第一传导类型，并且其中，第三掺杂区和补偿区带具有第二传导类型。