一种CSP封装芯片结构及制作方法

摘要

本发明公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N-GaN、有源发光层及P-GaN构成；导电层形成在P-GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P-GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N-GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P-GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本发明还公开一种CSP封装芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。

主权项

一种CSP封装芯片结构，其特征在于：包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。