一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路

摘要

本实用新型公开了一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路。通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路包括第一电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四PMOS管和第十一NMOS管。第一电阻和第一NMOS管构成偏置电流产生电路，通过调节偏置电流的大小来调节放电电流的大小达到调节振荡器的频率。

主权项

一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四PMOS管和第十一NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第二NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接地；所述第六NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，源极接地；所述第七NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第八NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接地；所述第九NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接地；所述第十NMOS管的栅极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第十NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第十一NMOS管的栅极接所述第十NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。