防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，尤其是一种防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述防止凸点侧向刻蚀的凸点结构，包括基底以及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底端依次通过种子层及粘附层与金属焊盘接触并电连接，且铜柱的底端通过种子层及粘附层支撑在介质层上，铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用首先对粘附层进行图形化的方法，避免了电镀后去除粘附层容易产生侧向钻蚀的问题，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。

主权项

一种防止凸点侧向刻蚀的成型方法，其特征是，所述成型方法包括如下步骤：（a）、提供具有绝缘层（2）的基底（1），并在所述基底（1）的绝缘层（2）上设置所需的金属焊盘（3）；（b）、在上述绝缘层（2）上设置介质层（4），所述介质层（4）覆盖在绝缘层（2）及金属焊盘（3）上；选择性地掩蔽和刻蚀所述介质层（4），以在金属焊盘（3）的正上方形成第一窗口（10），通过第一窗口（10）裸露金属焊盘（3）；（c）、在上述基底（1）上方制作粘附层（5），所述粘附层（5）覆盖在介质层（4）及金属焊盘（3）上；（d）、对上述粘附层（5）进行图形化，以使得图形化后的粘附层（5）与金属焊盘（3）相对应；（e）、在上述基底（1）上方制作种子层（6），所述种子层（6）覆盖在粘附层（5）及介质层（4）上；（f）、在上述基底（1）上设置光刻胶层（7），所述光刻胶层（7）支撑在种子层（6）上；对光刻胶层（7）进行图形化，以得到贯通所述光刻胶层（7）的第二窗口（11），所述第二窗口（11）位于金属焊盘（3）的正上方；（g）、利用上述第二窗口（11）在金属焊盘（3）的正上方电镀铜柱（8），所述铜柱（8）的底端通过种子层（6）及粘附层（5）与金属焊盘（3）及介质层（4）相接触；（h）、在上述铜柱（8）上设置焊料凸点（9），所述焊料凸点（9）支撑在铜柱（8）上，焊料凸点（9）的侧壁与光刻胶层（7）相接触；（i）、去除上述光刻胶层（7）；（j）、去除上述铜柱（8）外圈的种子层（6），以使得铜柱（8）外圈的介质层（4）的顶端裸露；（k）、对焊料凸点（9）进行回流，以得到所需的凸点结构。