半导体器件的制造方法

摘要

本发明阻止了在半导体器件的组装中形成孔洞。MCU芯片和AFE芯片被安装在由具有一对第一侧边和一对第二侧边的四边形形成的裸片焊盘上方。在MCU芯片和AFE芯片上执行引线键合之后，从两个第二侧边中的一个第二侧边的一侧向另一第二侧边的一侧提供树脂。从而，使所述树脂穿过MCU芯片上方的第一焊盘组和第二焊盘组之间的开口以填充芯片之间的区域，因此阻止了在芯片之间的区域中形成孔洞。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：(a)提供引线框架，所述引线框架包括裸片焊盘、第一引线组、第二引线组以及多个悬置引线，其中，所述裸片焊盘由具有相对布置的一对第一侧边以及与所述第一侧边相交并且相对布置的一对第二侧边的四边形构成，所述第一引线组沿平面图中所述裸片焊盘的两个第一侧边中的一个侧边设置，所述第二引线组沿平面图中所述裸片焊盘的两个第一侧边中的另一侧边设置，所述多个悬置引线分别连接至所述裸片焊盘的第二侧边；(b)在所述裸片焊盘的第一区域中安装第一半导体芯片，并且在平面图中在靠近所述第一区域设置的裸片焊盘的第二区域中安装第二半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一正面、多个第一键合焊盘和第一背面，所述多个第一键合焊盘在所述第一正面上形成，所述第一背面与所述第一正面相对，所述第二半导体芯片具有第二正面、多个第二键合焊盘和第二背面，所述多个第二键合焊盘在所述第二正面上形成，所述第二背面与所述第二正面相对；(c)经由多个外部键合线分别将所述第一键合焊盘的多个外部键合焊盘和所述第二键合焊盘的多个外部键合焊盘与所述第一引线组和所述第二引线组电连接，并且经由多个内部键合线将所述第一键合焊盘的多个内部键合焊盘与所述第二键合焊盘的多个内部键合焊盘电连接；以及(d)从所述裸片焊盘的第二侧边中的一个侧边向另一侧边提供树脂，并且采用所述树脂密封所述裸片焊盘、所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述外部键合线以及所述内部键合线，其中，所述第二区域位于平面图中所述第一区域和所述裸片焊盘的第二侧边的另一侧边之间，其中，所述第一半导体芯片的内部键合焊盘包括第一焊盘组和第二焊盘组，其中，所述第二半导体芯片的内部键合焊盘包括第三焊盘组和第四焊盘组，其中，所述内部键合线包括分别电连接所述第一焊盘组和所述第三焊盘组的多个第一内部键合线，以及分别电连接所述第二焊盘组和所述第四焊盘组的多个第二内部键合线，其中，所述第一焊盘组和所述第二焊盘组之间的距离大于所述第三焊盘组和所述第四焊盘组之间的距离，以及所述第一焊盘组和所述第二焊盘组之间的距离大于所述多个第一键合焊盘的多个内部键合焊盘的长度。