发明名称 |
碳纳米管和超材料复合结构的太赫兹吸收层及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种碳纳米管和超材料复合结构的太赫兹吸收层及其制备方法,所述太赫兹吸收层从上到下依次为:顶层吸收层、介质层、金属反射层和碳纳米管薄膜层。用碳纳米管薄膜的特殊光学性质和超材料复合结构对太赫兹辐射接近100﹪的吸收率,显著增强了探测单元对太赫兹波段辐射的吸收率,也提高了探测器的太赫兹探测性能。同时,由于碳纳米管本身具有良好的导热性,可以迅速将吸收的热能传递给探测单元,提高探测器的响应速度。 |
申请公布号 |
CN103489943B |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201310484486.6 |
申请日期 |
2013.10.16 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
黎威志;丁杰;敖天宏;孙斌玮;樊霖;王军 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I;G01J5/58(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰;杨保刚 |
主权项 |
碳纳米管和超材料复合结构的太赫兹吸收层,其特征在于:所述太赫兹吸收层从上到下依次为:顶层吸收层、介质层、金属反射层和碳纳米管薄膜层;所述顶层吸收层由一定尺寸的周期性金属图形单元构成;周期性金属图形单元由圆形金属圈构成,金属圈的厚度为300nm,半径为70um,周期为75um;所述顶层吸收层采用材料为铝;所述介质层采用材料为氮化硅,厚度为2um;所述金属反射层采用材料为铝,厚度为100nm;所述碳纳米管薄膜层的厚度为3.5微米。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |