高速调制发光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种高速调制发光二极管及其制造方法。包括发光二极管芯片，发光二极管芯片包括发光外延结构，发光外延结构包括依次叠设的缓冲层、第一N型氮化镓接触层、氮化镓耗尽层、P型铝镓氮电子阻挡层、第一P型铟镓氮层、量子阱层、第二P型铟镓氮层、N型氮化镓层、第二N型氮化镓接触层和导电层，量子阱层为未掺杂的In_0.2Ga_0.8N/In_0.05Ga_0.95N量子阱层和沉积四周期浓度为5×10¹⁷cm^-3的硅掺杂势垒的铟镓氮/氮化镓量子阱层中的任意一种。本发明还提供了所述高速调制发光二极管的制造方法。本发明所提供的高速调制发光二极管在保留与传统发光二极管相近的出光功率同时，提升了调制宽度。

主权项

一种高速调制发光二极管，其特征在于，包括发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、发光外延结构、集电极、基极及发射极，所述发光外延结构包括依次叠设的缓冲层、第一N型氮化镓接触层、氮化镓耗尽层、P型铝镓氮电子阻挡层、第一P型铟镓氮层、量子阱层、第二P型铟镓氮层、N型氮化镓层、第二N型氮化镓接触层和导电层，所述缓冲层叠设于所述衬底的外延生长面上，所述量子阱层为未掺杂的In_0.2Ga_0.8N/In_0.05Ga_0.95N量子阱层和沉积四周期浓度为5×10¹⁷cm_‑³的硅掺杂势垒的铟镓氮/氮化镓量子阱层中的任意一种，所述集电极设于所述第一N型氮化镓接触层，所述基极设于所述第二P型铟镓氮层，所述发射极设于所述导电层。