发明名称 |
一种磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法及其在锂离子电池上的应用 |
摘要 |
本发明涉及一种磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法,该复合材料为GaN,具体制备方法为:将纯度为99.99%GaN靶材和金属衬底分别安置于溅射腔中,靶材与衬底距离D=7cm;对腔体进行抽真空,V≥1×10<sup>-7</sup>Torr;对衬底进行加热,并将其温度保持在25~700℃;利用磁控溅射对靶材进行轰击,在金属衬底上沉积生长GaN。所制备GaN直接生长在导电基体上,与基体结合紧密;所制备样品中GaN为均匀的纳米颗粒,平均尺寸在40nm;所制备GaN可作为锂离子电池负极材料,具有较高充、放电容量和较低的充、放电平台。 |
申请公布号 |
CN105633378A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201610118186.X |
申请日期 |
2016.03.02 |
申请人 |
三峡大学 |
发明人 |
倪世兵;黄鹏 |
分类号 |
H01M4/36(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M4/136(2010.01)I;H01M4/1397(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I |
主分类号 |
H01M4/36(2006.01)I |
代理机构 |
宜昌市三峡专利事务所 42103 |
代理人 |
蒋悦 |
主权项 |
一种磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法,其特征在于,该复合材料为GaN,具体制备方法为:(1)将纯度为99.99%GaN靶材和金属衬底分别安置于溅射腔中,靶材与衬底距离D=7cm;(2)对腔体进行抽真空,V≥1×10<sup>‑7</sup>Torr;(3)对衬底进行加热,并将其温度保持在25~700℃;(4)利用磁控溅射对靶材进行轰击,在金属衬底上沉积生长GaN。 |
地址 |
443002 湖北省宜昌市大学路8号 |