| 发明名称 | 处理多孔超低介电常数层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种处理多孔超低介电常数层的方法，该方法包括：在反应腔内提供半导体器件，所述半导体器件的表面具有多孔超低介电常数层，所述反应腔内的温度为300-400℃，压力为80-300巴；向所述反应腔内通入CO<sub>2</sub>超临界流体溶液，所述溶液中溶解有四甲基二乙烯基二硅氮烷；使所述溶液与所述多孔超低介电常数层接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103178001B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201110431560.9 | 申请日期 | 2011.12.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 处理多孔超低介电常数层的方法，该方法包括：在反应腔内提供半导体器件，所述半导体器件的表面具有多孔超低介电常数层，所述反应腔内的温度为300‑400℃，压力为80‑300巴；向所述反应腔内通入CO<sub>2</sub>超临界流体溶液，所述溶液中溶解有四甲基二乙烯基二硅氮烷；使所述溶液与所述多孔超低介电常数层接触，以抑制所述多孔超低介电常数层K值的漂移。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||