| 发明名称 | Cu－Ga合金粉末、Cu－Ga合金溅射靶以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN102844134B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201180018036.7 | 申请日期 | 2011.04.07 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 森本敏夫;高桥辰也;安东勋雄;小向哲史;高木正德;佐藤惠理子;南浩尚 |
| 分类号 | B22F1/00(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | B22F1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 崔香丹;洪燕 |
| 主权项 | 一种Cu－Ga合金粉末的制造方法，其特征在于，将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌，从而直接形成Cu‑Ga合金粉末。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||