TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法

摘要

本发明提供一种TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法，其中，带有EBG的屏蔽结构的TSV或TGV转接板包括TSV或TGV转接板，以及所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板中，或制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。本发明还提供一种TSV或TGV转接板制备方法，一种3D封装及其制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。

主权项

一种带有EBG的屏蔽结构的TSV转接板或TGV转接板的制备方法，其特征在于，所述带有EBG的屏蔽结构的TSV转接板或TGV转接板包括：TSV或TGV转接板，以及带有所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层；所述方法包括：在完成TSV或TGV转接板制作后，在转接板的上下两面通过溅射或蒸发沉积方式分别沉积至少一层金属平面，并且根据TSV或TGV的结构要求在沉积的金属平面刻蚀出互连的孔以及具有周期性分布的EBG结构；在转接板双面分别形成的金属层上分别形成至少一有机或无机的绝缘层；在所述绝缘层上分别制作至少一具有与TSV或TGV连通的再分布金属平面。