一种倒装LED芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种倒装LED芯片，其是镜面对称的结构，从其蓝宝石衬底的上表面向上，依次分布着的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层构成纵截面呈凸字形的外延结构。N型氮化镓层的上表面暴露在多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分分别形成外延结构的两个肩部，长条形的第一、第二N电极分别分布在第一、第二部分上，沿平行于倒装LED芯片的对称面的方向延伸；P型氮化镓层的上表面布置有第一金属层Ni的厚度为的金属层NiAgNi，作为反射导电层，也用作P电极。本发明相应地公开了该倒装LED芯片的制造方法。本发明具有光效高、制作流程简便，可靠性高的优点；并且流程简便，可靠性高。

主权项

一种倒装LED芯片，包括横截面呈长方形的蓝宝石衬底以及从所述蓝宝石衬底的上表面向上依次分布的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、所述多量子阱结构层和所述P型氮化镓层的横截面皆呈长方形，它们构成外延结构；其特征在于，所述倒装LED芯片是镜面对称的结构，所述外延结构的纵截面成凸字形；所述N型氮化镓层的上表面具有暴露在所述多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别形成所述外延结构的两个肩部；所述倒装LED芯片还包括分布在所述P型氮化镓层的上表面的反射导电层、分布在所述第一部分上的第一N电极和分布在所述第二部分上的第二N电极；所述反射导电层与所述P型氮化镓层电连接，所述第一、第二N电极与所述N型氮化镓层电连接；所述反射导电层为金属层NiAgNi，由从下向上层叠的第一金属层Ni、金属层Ag和第二金属层Ni构成；其中所述第一金属层Ni的厚度为所述第二金属层Ni的厚度与所述金属层Ag的厚度的比值在1:50～1:10之间。