Method for generating an embedded resistor in a semiconductor device

摘要

반도체 소자내의 임베디드 저항 소자를 형성하는 방법 및 반도체 소자를 제공한다. 상기 방법은 기판 내에 트렌치 분리 영역을 형성하고, 상기 기판 및 트렌치 분리 영역 상에 패드 산화막을 형성하고, 상기 패드 산화막 상에 실리콘막을 증착하고, 상기 트렌치 분리 영역 상부에 위치하는 상기 실리콘막의 영역 상에 포토 레지스트 마스크를 형성하고, 상기 트렌치 분리 영역 상부에 위치하는 폴리컨덕터를 얻기 위하여 상기 실리콘막을 식각하고, 상기 폴리컨덕터를 산화하고, 상기 산화된 표면 상에 산화막 물질 또는 메탈 게이트 물질 중 적어도 하나를 증착하고, 상기 적어도 하나의 산화막 물질 또는 메탈 게이트 물질 상에 실리콘막을 증착하고, 상기 트렌치 분리 영역과 이격되어 위치하는 상기 실리콘막의 일정 영역 상에 위치하는 포토 레지스트 마스크로 트랜지스터 게이트를 패터닝하고, 상기 트렌치 분리 영역과 이격되어 위치하는 적어도 하나의 트랜지스터 구조물 및 상기 트렌치 분리 영역 상부에 위치하는 적어도 하나의 저항 소자 구조물을 얻기 위해서 상기 실리콘막을 식각하는 것을 포함한다.