存储器单元、半导体装置结构、包括此类单元的系统及制造方法

摘要

本发明揭示了包括具有自由区域的单元核的存储器单元。所述自由区域展现影响所述单元核内的磁化定向的应变。应力源结构可在所述单元核的至少一部分上施加应力以引起所述自由区域的应变状态。本发明还揭示了包括此类存储器单元的半导体装置结构及系统以及用于形成此类存储器单元的方法。

主权项

一种存储器单元，其包括：磁性单元核，所述磁性单元核安置于所述磁性单元核上方的导电材料与所述磁性单元核下方的另一导电材料之间，所述磁性单元核包括自由区域，所述自由区域展现引起垂直磁化定向的应变；以及至少一个应力源结构，所述应力源结构在所述磁性单元核外部，且向所述磁性单元核施加应力，所述至少一个应力源结构至少部分地被所述上方的导电材料覆盖，且至少部分地覆盖所述下方的另一导电材料，所述至少一个应力源结构通过绝缘材料与所述磁性单元核、所述导电材料及所述另一导电材料物理地隔离。