光刻胶填充深孔的方法

摘要

本发明公开了深孔光刻胶填充方法，一种利用真空处理的方法，另一种深孔光刻胶填充方法，利用光刻胶溶剂进行浸润，本发明通过两次旋涂的方式，并且在第一次旋涂后，不经过软烘，可选择性的利用光刻胶溶剂进行润湿，使得光刻胶得以稀释，更有利于气泡的逃逸，然后将晶圆放置在真空设备中，使得TSV内部的气泡逃逸，一次旋涂可以对TSV侧壁部分浸润，有利于二次旋涂时孔的填充，之后进行第二次的旋涂，得到无孔填充。

主权项

一种深孔光刻胶填充方法，包括以下步骤：完成TSV的电镀填孔，实现金属互连；第一次旋涂工艺，使得光刻胶部分进入TSV；将旋涂后的晶圆放置到真空设备中，并抽真空，使得TSV孔内部残留的气体排出；对晶圆进行预烘烤，使得第一次涂覆的光刻胶固化；进行第二次旋涂工艺，使得光刻胶进行填充；进行第二次真空处理，使得TSV孔内部残留的气体排出；进行第二次预烘烤工艺，使得涂覆的光刻胶固化，从而使得TSV孔完全填充。