| 发明名称 | 掩模版和半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种掩模版和半导体器件的形成方法。其中，所述掩模版包括：基板；位于所述基板上的遮光层；主图形，位于所述遮光层内；还包括：辅助图形，位于所述遮光层内；所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率。所述掩模版通过设置辅助图形，增大了掩模版的透光率，掩模版接收曝光光线照射的面积减小，因此吸收的光线减少，掩模版自加热效应降低，减小掩模版自身的变形，从而防止利用掩模版形成的器件图形发生偏差，提高采用此掩模版形成的半导体器件的图形准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN105629658A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410604099.6 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 沈满华;祖延雷 |
| 分类号 | G03F1/38(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/38(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;骆苏华 |
| 主权项 | 一种掩模版，包括：基板；位于所述基板上的遮光层；主图形，位于所述遮光层内；其特征在于，还包括：辅助图形，位于所述遮光层内；所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||