| 摘要 |
일 실시 형태에 의한 반도체 장치(SP1)는 배선 기판(2)의 기재층(2CR)과 반도체 칩(3)의 사이에, 기재층과 밀착되는 솔더 레지스트막(SR1: 제1 절연층), 솔더 레지스트막 및 반도체 칩과 밀착되는 수지체(4: 제2 절연층)가 적층되어 있다. 또한, 솔더 레지스트막의 선팽창 계수는 기재층의 선팽창 계수 이상이며, 솔더 레지스트막의 선팽창 계수는 수지체의 선팽창 계수 이하이며, 또한 기재층의 선팽창 계수는 수지체의 선팽창 계수보다도 작은 것이다. 상기 구성에 의해, 온도 사이클 부하에 기인하는 반도체 장치의 손상을 억제하여, 신뢰성을 향상시킬 수 있다. |
