基板を真空処理する装置

摘要

プラズマ装置（１６０）を備えた真空チャンバ（１）とプロセスチャンバ（１１０）と基板収容装置（１３５）とを備え、プロセスチャンバは相互に相対的に垂直方向に運動可能な上部セクション（１０５ａ）と下部セクション（１０５ｂ）とを有する、基板を真空処理する装置において、上部セクションの側壁（１０６ａ）と下部セクションの側壁（１０６ｂ）との間に、プロセスチャンバの内部領域（１４０）から上部セクションの外側の真空チャンバの内部領域（１ａ）まで通じる下方流路（１０５ｃ）が設けられ、上部セクションの上縁領域（１０７）と真空チャンバの内部領域の上部の封止部材（１０９）との間に、プロセスチャンバの内部領域から上部セクションの外側の内部領域まで通じる上方流路（１９０）が設けられ、上部セクションは、垂直方向で、上方流路が開放される下部位置と上方流路が閉鎖される上部位置とへ運動可能である。