| 摘要 |
固体撮像装置は、半導体基板（２０１）と、半導体基板（２０１）に形成された画素部（２５０）と、半導体基板（２０１）の画素部（２５０）の周辺に形成された周辺回路部（２６０）とを備え、画素部（２５０）は、入射光を光電変換することで電荷を生成する光電変換膜（２１７）と、前記電荷を保持するためのｎ型拡散層（２０５）とを備え、周辺回路部（２６０）は、ゲート電極（２０４Ｄ）と２つのｎ型ソース・ドレイン拡散層（２３６）とを備えるＮｃｈＭＯＳトランジスタ（２２５）を備え、２つのｎ型ソース・ドレイン拡散層（２３６）の不純物濃度は、ｎ型拡散層（２０５）の不純物濃度よりも高い。 |
