AlN AlN METHOD FOR DEPOSITING A PIEZOELECTRIC FILM CONTAlNING AlN AND A PIEZOELECTRIC FILM CONTAlNING AlN

摘要

본 발명은 진공 챔버(1) 내에서 적어도 2개의 타깃(4; 5)의 마그네트론 스퍼터링을 이용해서 기판(2) 위에 AlN을 함유한 압전막을 증착하는 방법에 관한 것으로, 상기 타깃들 중 적어도 하나의 타깃(4; 5)은 알루미늄을 포함하고, 진공 챔버(1) 내로 가스 혼합물이 유입되고, 상기 가스 혼합물은 적어도 반응 가스 질소와 불활성 가스를 포함하고, 마그네트론 스퍼터링 동안 단극성 플러스 모드와 양극성 플러스 모드가 교대로 이용된다. 또한 본 발명은 (0.1 ≤ X ≤ 1.2); (0.1 ≤ Y ≤ 1.2) 및 (0.001 ≤ Z ≤ 0.1)인, 화학식 AlNO의 AlN을 함유한 막에 관한 것이다.