自己整列浮遊及び消去ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法

摘要

トレンチが半導体材料の基板内へと設けられたメモリ装置とその製造方法を提供する。ソース領域がトレンチ下に形成され、ソース及びドレイン領域の間のチャネル領域は、実質的にトレンチの側壁に沿って延在する第１部分と、実質的に基板表面に沿って延在する第２部分とを有する。浮遊ゲートはトレンチ内に配置され、チャネル領域第１部分から絶縁されることで、導電率が制御される。制御ゲートは、絶縁された状態でチャネル領域第２部分上に設けられることで、導電率が制御される。消去ゲートは、絶縁された状態で、浮遊ゲート上に少なくとも部分的に設けられる。導電性のカップリングゲートがトレンチ内に設けられ、絶縁された状態で浮遊ゲート上に設けられ、かつ絶縁された状態でソース領域に設けられている。