| 摘要 |
본 발명은 저감된 누설 전류를 갖는 저항 변화 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 셀을 형성하기 위한 방법과 관련 장치에 관한 것이다. 일부 실시예에서 방법은 하부 금속 배선층 위에 원자층 증착(ALD) 공정을 이용하여 바닥 전극을 형성함으로써 형성되며. ALD 공정으로 적어도 바닥 전극의 상부를 형성한다. 바닥 전극의 상부를 형성함과 더불어 바닥 전극의 상부 위에 가변 저항을 가진 유전체 데이터 저장층이 인시튜 형성된다. 유전체 데이터 저장층 위에는 상부 전극이 형성되고, 상부 전극 위에 상부 금속 배선층이 형성된다. 상부 유전체 데이터 저장층의 형성과 더불어 인시튜로 ALD 공정을 이용하여 바닥 전극의 상부를 형성함으로써, RRAM 셀의 누설 전류, 누설 전류 분포 및 장치 수율이 향샹된다. |
