一种石墨烯射频晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯射频晶体管，包括一带有SiO2层的衬底，所述衬底掩埋有源、漏电极；所述衬底上设有基底/Graphene二维材料层以及源、漏电极的连接金属层，所述连接金属层覆盖住基底/Graphene二维材料层的两端，所述基底/Graphene二维材料层中间上设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设有栅极。本发明还公开了一种石墨烯射频晶体管的制作方法，采用核壳结构的静电纺丝纳米线作为掩膜板，代替昂贵的电子束光刻技术实现栅绝缘层和栅极的刻蚀制作，实现了制作高性能石墨烯射频晶体管的低成本化。

主权项

一种石墨烯射频晶体管的制作方法，其特征在于，所述石墨烯射频晶体管包括一带有SiO₂层的衬底，所述衬底掩埋有源、漏电极；所述衬底上设有基底/Graphene二维材料层以及源、漏电极的连接金属层，所述连接金属层覆盖住基底/Graphene二维材料层的两端，所述基底/Graphene二维材料层中间上设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设有栅极；其制作方法包括如下：1)通过光刻和蒸镀工艺，在带有SiO₂层的衬底上形成掩埋源、漏电极；2)在衬底上形成基底/Graphene二维材料层，光刻得到特定图形；3)在基底/Graphene二维材料层上沉积栅绝缘层，在所述栅绝缘层上沉积栅极；4)在显微设备下，将核壳结构的纳米线覆盖到栅极表面，以纳米线为掩膜，刻蚀掉未被掩膜的栅极和栅绝缘层；5)加热纳米线，使纳米线对栅极顶端形成包覆，采用蒸镀工艺，在衬底表面形成源、漏电极的连接金属层，并光刻得到特定图形；6)去除纳米线及其上覆盖的金属层，即得到所需的石墨烯射频晶体管。