单片集成太阳能模块和制造方法

摘要

本发明名称为单片集成太阳能模块和制造方法。提供单片集成光伏(PV)模块(200)并且其包括第一导电层(12)和绝缘层(24)。该第一导电层设置在该绝缘层下面。该PV模块进一步包括背接触金属层(28)、p型半导体层(14)、具有至少大约5μm的中等晶粒大小并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)和n型半导体层(18)。该大致上本征半导体层设置在该p型和该n型半导体层之间从而形成有源半导体堆叠(30)。该背接触金属层设置在该绝缘层和该有源半导体堆叠之间。该PV模块进一步包括设置在该有源半导体堆叠(30)上的第二导电层(22)、至少一个延伸通过该背接触金属层(28)的第一沟槽(11)、至少一个延伸通过该有源半导体堆叠的第二沟槽(13)和至少一个延伸通过该第二导电层(22)的第三沟槽(15)。

主权项

一种单片集成光伏PV模块，其包括：第一导电层；绝缘层，其中所述第一导电层设置在所述绝缘层下面；背接触金属层；p型半导体层；具有至少5μm的中等晶粒大小并且包括镉和碲的大致本征半导体层；n型半导体层，其中所述大致本征半导体层设置在所述p型半导体层和所述n型半导体层之间从而形成有源半导体堆叠，其中所述背接触金属层设置在所述绝缘层和所述有源半导体堆叠之间；第二导电层，其中所述第二导电层设置在所述有源半导体堆叠上面；延伸通过所述背接触金属层的至少一个第一沟槽，其中所述至少一个第一沟槽中的每个将相应PV电池的背接触金属层与相应相邻PV电池的背接触金属层分开；延伸通过所述p型半导体、大致本征半导体和n型半导体层的至少一个第二沟槽，其中所述至少一个第二沟槽中的每个将相应PV电池的p型半导体、大致本征半导体和n型半导体层与相应相邻PV电池的p型半导体、大致本征半导体和n型半导体层分开；延伸通过所述第二导电层的至少一个第三沟槽，其中所述至少一个第三沟槽中的每个将相应PV电池的第二导电层与相应相邻PV电池的第二导电层分开，其中，大致上本征指示具有小于每立方厘米10¹³的载流子浓度的材料，并且所述大致本征半导体层的中等晶粒大小与所述大致本征半导体层的厚度的比大于2。