发明名称 | 一种肖特基辐射伏特电池 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种肖特基辐射伏特电池,目的在于:提升输出功率和能量转化效率,提高封装密度,所采用的技术方案为:包括由SiC基片构成的衬底,衬底上部设置有N型SiC外延层,所述N型SiC外延层上设有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极,所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同,所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源;所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。 | ||
申请公布号 | CN205264349U | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
申请号 | CN201520911612.6 | 申请日期 | 2015.11.16 |
申请人 | 长安大学 | 发明人 | 谷文萍;张赞;胡笑钏;张林 |
分类号 | G21H1/06(2006.01)I | 主分类号 | G21H1/06(2006.01)I |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
主权项 | 一种肖特基辐射伏特电池,其特征在于,包括由SiC基片构成的衬底(1),衬底(1)上部设置有N型SiC外延层(2),所述N型SiC外延层(2)上设有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,所述若干个台阶的顶部中间位置均注入形成有N型SiC欧姆接触掺杂区(3),N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端设置有N型欧姆接触电极(5),N型SiC欧姆接触掺杂区(5)上端与台阶顶部齐平,所述N型欧姆接触电极(5)两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源(6);所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极(4)。 | ||
地址 | 710064 陕西省西安市碑林区南二环中段33号 |