| 发明名称 | 一种刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新的干法刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成掩蔽材料；对掩蔽材料和待刻蚀层进行干法刻蚀；对掩蔽层横向刻蚀(平行于衬底表面)与对待刻层纵向刻蚀(垂直与衬底表面)同时进行，通过精确控制上述两者速率比来获得相应的刻蚀坡面倾斜角度(坡面与衬底表面的夹角)。该方法可以大范围(0°～90°)灵活调节刻蚀坡面倾斜角度，尤其在小刻蚀坡面倾斜角度(<20°)应用领域较常规刻蚀方法具有优势。 | ||
| 申请公布号 | CN105609415A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201510996470.2 | 申请日期 | 2015.12.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李俊杰;李俊峰;杨清华;刘金彪;贺晓彬 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成掩蔽材料；对掩蔽材料和待刻蚀层进行干法刻蚀；待刻蚀层的端面倾斜角需求角度为θ，调节掩蔽材料的横向刻蚀速率(ERB)与待刻蚀层的纵向刻蚀速率(ERA)的比值；根据ctanθ＝ERB/ERA调节刻蚀完成后得到的端面倾斜角θ；其中θ为刻蚀完成后待刻蚀层的端面与半导体衬底平面之间的夹角。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||