用于外延工艺的半导体制造设备

摘要

根据本发明的一实施例，半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室和所述外延腔室连接，并且具备用于向所述外延腔室搬运已结束所述清洗工艺的所述基板的基板处理器。所述外延工艺可以为对多个基板实施的间歇式工艺。

主权项

一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；缓冲腔室，其具有基板支架，所述基板支架具备用于载置所述基板的载置空间；搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室、所述外延腔室和所述缓冲腔室连接，并且具备用于向所述外延腔室搬运已结束所述清洗工艺的所述基板的基板处理器；其中所述载置空间具备用于载置已结束所述清洗工艺的所述基板的第一载置空间、和用于载置形成有所述外延层的所述基板的第二载置空间；其中所述第一载置空间和所述第二载置空间彼此竖直地载置；其中所述基板处理器向所述第一载置空间依次搬运已结束所述清洗工艺的所述基板、向所述外延腔室搬运在所述第一载置空间内所载置的所述基板、并且向所述第二载置空间依次载置形成有所述外延层的所述基板；其中所述外延腔室具备：反应管，其提供实施所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其用于载置所述基板；旋转轴，其连接于所述基板支架并与所述基板支架一同升降，并且向所述基板在所述基板支架内所载置的载置位置、及所述基板支架位于所述工艺空间内的工艺位置移动，并向所述外延工艺期间已设定的方向旋转；以及支撑板，其与所述基板支架一同升降，并且在所述工艺位置与所述反应管的下端部接触而使所述工艺空间与外部隔离。