发明名称 |
具有单轴应变鳍的非平面器件及其制造方法 |
摘要 |
一种方法和根据所述方法制造的器件。所述方法包括:提供包括第一材料的衬底;以及提供包括第二材料的鳍,所述鳍设置在所述衬底上并具有器件有源部分,所述第一材料和所述第二材料在其各自的晶体结构之间呈现晶格失配。提供所述鳍包括:在所述衬底上提供包括所述第二材料的双轴应变膜;并且去除所述双轴应变膜的一部分以由其形成基本上单轴应变的鳍。 |
申请公布号 |
CN103262245B |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201180057308.4 |
申请日期 |
2011.09.19 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
S·M·塞亚;R·科特利尔;J·T·卡瓦列罗斯;M·D·贾尔斯;T·加尼;K·J·库恩;M·库恩;N·M·泽利克 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;王英 |
主权项 |
一种器件,包括:衬底,包括第一材料;单轴应变鳍,包括第二材料,所述鳍设置在所述衬底上并具有器件有源部分;其中,所述第一材料和所述第二材料在其各自的晶体结构之间呈现晶格失配;其中,均包括在所述鳍中且均包括所述第二材料的源极区域和漏极区域与所述第一材料的晶格失配大于所述鳍的其它区域与所述第一材料的晶格失配。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |