发明名称 |
薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括基板以及设置在基板上的栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,在栅极和有源层之间还设置有隔离层,隔离层至少在正投影方向上与面积较小的栅极和有源层中的一个重合,隔离层能有效防止形成栅极的材料扩散到有源层中,进而保证薄膜晶体管的性能的稳定性。该阵列基板在采用该薄膜晶体管的基础上,使隔离层进一步延伸到对应着栅线的区域,从而能够有效防止形成栅极和栅线的材料扩散到有源层中,进而保证阵列基板的性能的稳定性。 |
申请公布号 |
CN103474471B |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201310385416.5 |
申请日期 |
2013.08.29 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
曹占锋;姚琪;丁录科;孙冰;孔祥春 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括基板以及设置在所述基板上的栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,其特征在于,在所述栅极和所述有源层之间还设置有隔离层,所述隔离层至少在正投影方向上与面积较小的所述栅极和所述有源层中的一个重合,所述隔离层对于形成所述栅极的材料扩散的阻隔能力大于所述绝缘层对于形成所述栅极的材料扩散的阻隔能力;所述隔离层在面积较大的所述有源层或所述栅极中任一对应的区域内具有导电性,而剩余区域的所述隔离层具有绝缘性。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |