发明名称 输入装置
摘要 本发明的目的在于,提供一种尤其是在作为低电阻金属采用Cu、Cu合金或者Ag合金之际,能够确保良好的不可见特性,并且能够使电桥配线的耐环境性或静电破坏耐受性提高的输入装置。具有:透明基材(2);形成于透明基材(2)的第一面的多个透明电极(5);将所述透明电极(5)间电连接的电桥配线(10);形成在所述透明基材(2)与所述电桥配线(10)之间的绝缘层(20),所述电桥配线(10)形成为从所述绝缘层的表面侧按由非结晶ITO构成的基底层35/Cu、由Cu合金或者Ag合金构成的金属层40/由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层37依次层叠的结构。
申请公布号 CN103246385B 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201210575093.1 申请日期 2012.12.26
申请人 阿尔卑斯电气株式会社 发明人 竹内正宜;佐藤清;矢泽学;铃木彻也;牛肠英纪;青木大悟
分类号 G06F3/041(2006.01)I 主分类号 G06F3/041(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 刘建
主权项 一种输入装置,其特征在于,所述输入装置具有:透明基材;形成在所述透明基材的第一面上的多个透明电极;将所述透明电极之间电连接的电桥配线;形成在所述透明基材与所述电桥配线之间的绝缘层,所述透明电极具备多个第一透明电极和多个由ITO构成的第二透明电极,各第一透明电极沿着第一方向被连结,在所述第一透明电极的连结部的表面上形成有所述绝缘层,利用穿过所述绝缘层的绝缘表面而形成的所述电桥配线将各第二透明电极沿着与所述第一方向交叉的第二方向连结,所述绝缘层由酚醛清漆树脂形成,所述绝缘层将所述第一透明电极的连结部与所述第二透明电极之间的空间填埋,并且蔓延形成至所述第二透明电极的表面,所述电桥配线具备层叠结构,该层叠结构包括:从所述绝缘层的表面到所述第二透明电极的表面相接地形成的由非结晶ITO构成的基底层;仅形成在所述基底层的表面上且不与所述第二透明电极接触的CuNi层;仅形成在所述CuNi层的表面上的由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层,在所述电桥配线中,仅所述基底层与所述第二透明电极的表面接触,在所述CuNi层中,Cu为85~75wt%,Ni为15~25wt%,将Cu与Ni的各组成比相加为100wt%。
地址 日本东京都