单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法

摘要

本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。

主权项

一种使用单晶碳化硅液相外延生长用供料件的单晶碳化硅的液相外延生长方法，该供料件具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，通过所述表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与(111)晶面对应的衍射峰和与所述(111)晶面对应的衍射峰以外的衍射峰，从由所述表层的X射线衍射观察到的、与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的一级衍射峰算出的平均微晶粒径为以下，所述单晶碳化硅的液相外延生长方法的特征在于：通过以所述供料件的表层和具有含有碳化硅的表层的种晶件的所述表层隔着硅熔融层对置的状态进行加热，使单晶碳化硅在所述种晶件的表层上外延生长。