发明名称 |
蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质 |
摘要 |
(课题)不全部更换蚀刻液,而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围,精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。(技术手段)蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式,在该第1部分更换模式中,将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出,将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序包括第2部分更换模式,在第2部分更换模式中,将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出,将新的蚀刻液以第4设定量供给。 |
申请公布号 |
CN105612607A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201480053037.9 |
申请日期 |
2014.09.19 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
古川孝弘;二俣雄亮;佐藤秀明;原大海;河津贵裕;盐川俊行;佐藤尊三 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种蚀刻方法,其特征在于,该蚀刻方法包括:使用蚀刻液对收纳于蚀刻处理部内的被处理体实施蚀刻处理的蚀刻工序;对所述被处理体进行的蚀刻工序和下一个对被处理体进行的蚀刻工序之间的间隔工序,所述蚀刻工序包括第1部分更换模式,该第1部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第2设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序,所述间隔工序包括第2部分更换模式,该第2部分更换模式具有将所述蚀刻处理部内的提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出的工序和将新的蚀刻液以第4设定量向所述蚀刻处理部内供给的工序。 |
地址 |
日本东京都 |