发明名称 |
碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应用 |
摘要 |
本发明涉及一种碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应用,主要由SiO<sub>2</sub>水溶胶磨料、FA/OⅠ型非离子表面活性剂、FA/OⅡ型螯合剂和双氧水组成碱性铜粗抛液,其特征是:所述碱性铜粗抛液的FA/OⅠ型表面活性剂在GLSI多层铜布线CMP铜膜的高速率下提高粗抛高一致性的应用。有益效果:本发明选用FA/OⅠ型表面活性剂可使抛光表面吸附物处理易清洗的物理吸附状态,有利于表面沾污物的去除,同时减少损伤层,降低表面张力,提高晶片表面质量的均匀性,加快表面质量传递,提高温度分布一致性,达到铜膜表面全局一致性。 |
申请公布号 |
CN105598826A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201510990523.X |
申请日期 |
2015.12.25 |
申请人 |
天津晶岭微电子材料有限公司 |
发明人 |
刘玉岭;王月霞;牛新环 |
分类号 |
B24B37/04(2012.01)I;C09G1/02(2006.01)I |
主分类号 |
B24B37/04(2012.01)I |
代理机构 |
天津市三利专利商标代理有限公司 12107 |
代理人 |
杨红 |
主权项 |
一种碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应用,主要由SiO<sub>2</sub>水溶胶磨料、FA/OⅠ型表面活性剂、FA/OⅡ型螯合剂和双氧水组成碱性铜粗抛液,其特征是:所述碱性铜粗抛液的FA/OⅠ型表面活性剂在GLSI多层铜布线CMP铜膜的高速率下提高粗抛高一致性的应用。 |
地址 |
300130 天津市滨海新区华苑产业区科馨公寓20门501-5室 |