| 发明名称 | 使用p-AlGaN作为电子阻挡层的非极性面ZnO紫外LED器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种ZnO紫外发光二极管（light emitting diode, LED）器件。所述器件，从下至上依次包括：蓝宝石衬底，高温AlN成核层，Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N本征层，p型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层和n型ZnO层。本发明还提供了所述器件的制备方法。本发明叙述的器件外延层晶体生长方向为非极性面。沿非极性面生长的外延层中没有因极化效应导致的内量子效率下降等问题，有利于提高LED发光效率。同时，本发明使用Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N作为空穴注入层的同时，将其用作电子阻挡层，有利于电子在ZnO层与空穴复合发光。 | ||
| 申请公布号 | CN105609604A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201610030877.4 | 申请日期 | 2016.01.18 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 陈景文;张骏;王帅;戴江南;陈长清 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 36100 | 代理人 | 胡里程 |
| 主权项 | 使用p‑AlGaN作为电子阻挡层的非极性面ZnO紫外LED器件，其特征在于：该器件结构从下向上的顺序依次为衬底、高温AlN成核层的厚度、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N本征层、p型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层、n型ZnO厚度。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市珞喻路1037号 | ||