具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，量子阱层为InGaN阱层，量子垒层为GaN垒层；M+N个量子阱层中靠近N型GaN层的M个量子阱层的厚度逐渐变化，且在M+N个量子阱层中靠近N型GaN层的M个量子阱层中，靠近N型GaN层的量子阱层的厚度大于靠近P型GaN载流子层的量子阱层的厚度，M+N个量子阱层中靠近P型GaN载流子层的N个量子阱层的厚度均小于M个量子阱层的厚度，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0或1。

主权项

一种具有新型量子阱的发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，所述量子阱层为InGaN阱层，所述量子垒层为GaN垒层；其特征在于，所述M+N个量子阱层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子阱层的厚度逐渐变化，且在所述M+N个量子阱层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子阱层中，靠近所述N型GaN层的量子阱层的厚度大于靠近所述P型GaN载流子层的量子阱层的厚度，所述M+N个量子阱层中靠近所述P型GaN载流子层的N个所述量子阱层的厚度均小于所述M个所述量子阱层的厚度，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0或1。