发明名称 |
半导体器件扇出封装结构 |
摘要 |
本申请公开了一种半导体器件扇出封装结构,包括:半导体器件柱状凸点单体,其特征在于,还包括:再布线基板,包括:聚合层,聚合层具有多个第一开口,在聚合层的表面和第一开口内设有再布线金属板,在再布线金属板上设有焊料凸点;半导体器件柱状凸点单体通过第二金属柱与焊料凸点相连接。本申请再布线金属板的厚度与半导体器件所需的电流相匹配;且两两再布线金属板的间隔得到进一步缩小,有利于提高半导体器件的封装密度。 |
申请公布号 |
CN105609484A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201510995488.0 |
申请日期 |
2015.12.24 |
申请人 |
南通富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
施建根 |
分类号 |
H01L23/498(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/498(2006.01)I |
代理机构 |
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 |
代理人 |
孟阿妮;郭栋梁 |
主权项 |
一种半导体器件扇出封装结构,包括:半导体器件柱状凸点单体,其特征在于,还包括:再布线基板,包括:聚合层,所述聚合层具有多个第一开口,在所述聚合层的表面和所述第一开口内设有再布线金属板,在所述再布线金属板上设有焊料凸点;所述半导体器件柱状凸点单体通过第二金属柱与所述焊料凸点相连接。 |
地址 |
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |