发明名称 | 模式转变电路 | ||
摘要 | 一种电路包括具有接地参考节点的存储器单元,与接地参考节点连接的开关,和具有与开关连接的输出端的模式转变电路。模式转变电路被配置成自动使输出端的逻辑状态在第一输出逻辑状态和第二输出逻辑状态之间改变以响应工作电压和/或温度中的变化,从而自动地设定存储器单元在其中接地参考节点处于第一参考电平的第一模式中或在其中接地参考节点处于与第一参考电平不同的第二参考电平的第二模式中。 | ||
申请公布号 | CN102543165B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
申请号 | CN201110336887.8 | 申请日期 | 2011.10.28 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王兵;许国原 |
分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
主权项 | 一种逻辑状态转换电路,包括:第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管具有第一PMOS漏极,第一PMOS源极,和第一PMOS栅极;第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管具有第一NMOS漏极,第一NMOS源极,和第一NMOS栅极;第二PMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管具有第二PMOS漏极,第二PMOS源极,和第二PMOS栅极;以及第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管具有第二NMOS漏极,第二NMOS源极,和第二NMOS栅极;其中,所述第一PMOS栅极用作输入端并且设置成接收以工作电压为基础的输入电压;所述第一PMOS漏极与所述第一NMOS漏极和所述第二PMOS栅极连接;所述第一PMOS源极与所述工作电压连接;所述第一NMOS栅极与所述工作电压连接;所述第二PMOS漏极与所述第二NMOS漏极连接,并且用作输出端;以及所述输出端设置成响应于所述工作电压中的变化和/或引起在所述输入端接收的电压电平变化的温度中的变化,在第一逻辑状态和第二逻辑状态之间自动变化。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |