发明名称 |
制造用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板的方法 |
摘要 |
提供了一种制造用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板的方法,该阵列基板包括具有细的线宽的公共电极和像素电极。该阵列基板的像素电极和公共电极的形成包括沉积两个不同金属层以及使用选择性蚀刻工艺形成所述两个不同金属层的图案。因此,像素电极和公共电极可被形成为具有细的线宽,使得该面内切换模式液晶显示器装置可以具有提高的开口率。 |
申请公布号 |
CN103311182B |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201210599070.4 |
申请日期 |
2012.12.25 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
崔元俊 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
吕俊刚;刘久亮 |
主权项 |
一种制造用于面内切换(IPS)模式液晶显示器(LCD)装置的阵列基板的方法,该方法包括以下步骤:在基板上顺序地形成第一金属层和第二金属层;在所述第二金属层上形成光致抗蚀剂图案,该光致抗蚀剂图案具有第一线宽;对暴露在所述光致抗蚀剂图案之外的所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻,以形成具有比所述第一线宽小的第二线宽的双层结构的第一金属图案和第二金属图案;移除所述光致抗蚀剂图案;通过使用作为掩膜的所述第二金属图案和用于有选择地蚀刻所述第一金属图案的第一蚀刻剂,有选择地将所述第一金属图案蚀刻为具有比所述第二线宽小的第三线宽以形成像素电极和公共电极;以及通过使用用于有选择地蚀刻所述第二金属图案的第二蚀刻剂来有选择地蚀刻和移除所述第二金属图案,其中形成所述第一金属图案和所述第二金属图案的步骤包括使用混合蚀刻剂来蚀刻所述第一金属层和所述第二金属层,其中所述混合蚀刻剂包括硫酸钾、过氧化氢、氟、用来防止所述过氧化氢的自身分解的抑制剂、以及表面活性剂。 |
地址 |
韩国首尔 |