发明名称 フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法
摘要 メモリ装置で使用するためのハイブリッドチャージポンプ及び制御回路が開示される。
申请公布号 JP2016514446(A) 申请公布日期 2016.05.19
申请号 JP20150560181 申请日期 2014.01.14
申请人 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. 发明人 トラン ヒュー ヴァン;リー アィン;ヴー トゥアン;グエン フン クオック
分类号 H02M3/07;G11C16/06 主分类号 H02M3/07
代理机构 代理人
主权项
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