METHOD FOR RESTORING SILICON-BASED PHOTOVOLTAIC SOLAR CELLS

摘要

Le procédé de traitement d'un élément photovoltaïque, comporte au moins les étapes suivantes :
- prévoir un substrat (1) à base de silicium, muni en surface d'au moins une région émettrice (1 E);
- générer des porteurs de charge dans le substrat (1), en maintenant le substrat (1) à une température comprise dans un intervalle de température compris entre 20°C et 230 °C et de préférence entre 50°C et 230°C;
- soumettre le substrat (1) à un champ magnétique (B) pendant l'étape de génération des porteurs de charges, le champ magnétique (B) ayant une composante (Bc) sensiblement parallèle à l'interface (24) entre la région émettrice (1 E)et le substrat (1).