| 发明名称 | SRAM中子单粒子效应试验方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种SRAM中子单粒子效应试验方法，该SRAM中子单粒子效应试验方法包括：S1：配置SRAM，在所述SRAM中写入初始值，回读所述SRAM中的写入值得到第一回读结果；S2：进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述SRAM中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较，统计发生的错误数；S3：重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。本发明能够有效的对SRAM中子单粒子效应进行试验，提高其试验结果的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN105590652A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410568934.5 | 申请日期 | 2014.10.22 |
| 申请人 | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 | 发明人 | 王群勇;陈冬梅;阳辉;陈宇;李明;陈宇 |
| 分类号 | G11C29/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种SRAM中子单粒子效应试验方法，其特征在于，包括：S1：配置SRAM，在所述SRAM中写入初始值，回读所述SRAM中的写入值得到第一回读结果；S2：进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述SRAM中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较，统计发生的错误数；S3：重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。 | ||
| 地址 | 100089 北京市海淀区紫竹院路69号中国兵器大厦708室 | ||