发明名称 发光元件、发光器件及发光元件的制造方法
摘要 本发明提供高度可靠的发光元件,其中,即使当设置用于上电极的辅助电极时,仍然降低对EL层的损伤。此外,提供亮度不均匀受到抑制的高度可靠的发光器件。发光元件包含第一电极;第一电极上的绝缘层;绝缘层上的在表面上具有凸部及凹部的辅助电极;第一电极及辅助电极上的含有发光有机化合物的层;以及含有发光有机化合物的层上的第二电极。辅助电极的至少一部分电连接于第二电极。
申请公布号 CN103416106B 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201280012940.1 申请日期 2012.02.15
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 横山浩平;池田寿雄
分类号 H05B33/26(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I;H05B33/22(2006.01)I 主分类号 H05B33/26(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 刘力;梁谋
主权项 一种发光元件,其包括:第一电极;所述第一电极上的辅助布线;所述第一电极和所述辅助布线上的绝缘层;所述绝缘层上的包括凸部及凹部的辅助电极;所述第一电极及所述辅助电极上的含有发光有机化合物的层;以及所述含有发光有机化合物的层及所述辅助电极上的第二电极,其中,所述凸部穿透所述含有发光有机化合物的层,使得所述辅助电极电连接于所述第二电极,其中所述第一电极在所述绝缘层下连续地形成,其中所述辅助布线具有锥状形状,其中,所述第一电极与所述辅助布线的侧表面之间所形成的角度小于或等于60°,并且其中所述辅助布线与所述第一电极接触。
地址 日本神奈川县厚木市