强磁性TiO₂半导体材料、制备方法、自旋电子器件

摘要

本发明涉及材料领域，尤其涉及一种强磁性TiO₂半导体材料，包括衬底和设置在衬底上的TiO₂层；所述TiO₂层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列；所述TiO₂层的纳米颗粒大小3~5nm。该材料制备方法包括：清洗衬底；在硅衬底形成单层胶体晶体模板；浸泡在前驱体溶液中；取出后浸入二氯甲烷中，溶解掉聚苯乙烯模板，形成蜂窝状结构的TiO₂纳米阵列材料。本发明以单层胶体晶体为模板，结合溶液浸渍法成功制备出形貌均一，周期性排列的蜂窝状TiO₂纳米结构阵列，该材料在室温下显现出较强的铁磁性。本发明可促进TiO₂稀磁半导体材料在新型自旋电子器件领域的应用。

主权项

一种强磁性TiO₂半导体材料，其特征在于：包括衬底和设置在衬底上的TiO₂层；所述TiO₂层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列；所述TiO₂层的纳米颗粒大小3~5 nm。